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BSO220N03MS G /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSO220N03MS G的规格信息
BSO220N03MS G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):22 毫欧 @ 8.6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):800pF @ 15V

功率 - 最大值:1.56W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:PG-DSO-8

其它名称:BSO220N03MS G-NDBSO220N03MS GINTRBSO220N03MSGXUMA1SP000446060

供应商BSO220N03MS G
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